0.35 um BCD-Verfahren 

Bei diesem Verfahren handelt es sich um ein Dual GOX-Verfahren mit VGS = 5 V und maximalem VGS = 40 V, VDS-Spannungen von 5V/12V/18V/25 V/36V/40V/60V/80V/700V, mit Leistungsgeräten mit niedrigem on-Widerstand für Stromwandlung und LED sowie mit hochohmigen Poly2-, PIP-Kondensatoren und Bipolargeräten für analoges Signaldesign. Viele Spezialgeräte wurde für speziellen Bedarf hinzugefügt, z. B. Verarmungs-UHV-Geräte, UHV-Geräte mit niedrigem Ron, Verarmungsgeräte, Zenerdioden und UHV-Isolationsgeräte. Für den OTP-Bedarf sind auch das Poly e-Fuse-IP von Nuvoton und der 5 Volt NVM von eMemory verfügbar. Dieses Verfahren unterstützt 3 um Obermetall für Kupferdrahtbonden. Zur Nutzung eines digitalen Schaltkreisdesigns gibt es eine 5-Volt-Standardzellenbibliothek.

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