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M451VG6AE
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新唐NuMicro® M451基础系列是基于 ARM®Cortex®-M4 内核的新一代 32 位 的微控制器，宽工作电压 ( 2.5V ~ 5.5V ) ，工业级温度 ( - 40 ℃ ~ 105 ℃ ) ，内置 22.1184 MHz 晶振 ( 在25 ℃ ，5V时精度1 % ) ，可配置Data Flash，强抗干扰性 ( ESD 8 kV 、EFT 4 kV ) ，封装类型有LQFP48、LQFP64和LQFP100。 应用领域： 工业自动化、PLCs、变频器、智能家居、安防系统、数据采集、智能卡读卡器、马达控制等应用领域 关键特性： • 内核 - 含有浮点运算单元和DSP的 ARM®Cortex®-M4 內核 - 最高可运行至72 MHz - 工作电压: 2.5V ~ 5.5V - 工作温度: - 40 ℃ ~ 105 ℃ • 内存 - 256K字节FLASH ROM - 32K字节 SRAM - 可配置Data Flash • 12位 ADC ( 最多16通道 ) • 12位DAC • 16位精度 PWM ( 最多12通道 ) • 定时器 - 4通道 32 位 定时器 - 实时时钟 • 通用外设 - 最多5通道支持 UART 串口, 最多2通道支持LIN - 最多3通道 SPI 接口 - 最多2通道 I²C ( 最高支持1 MHz ) - 智能卡接口 ( 可选 ) - 最多2通道I²S • 安全性 - CRC校验 • 时钟 - 外接高速：4 MHz ~24 MHz - 外接低速：32.768KHz - 内置高速： 22.1184 MHz - 内置低速：10 KHz M451VG6AE
M451M 系列
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新唐NuMicro® M451M系列是基于ARM® Cortex®-M4内核的新一代 32 位 的微控制器，宽工作电压 ( 2.5V ~ 5.5V ) ，工业级温度 ( - 40 ℃ ~ 105 ℃ ) ，内置 22.1184 MHz 晶振 ( 在25 ℃ ，5V时精度1 % ) ，可配置Data Flash，强抗干扰性 ( ESD 8 kV 、EFT 4 kV ) ，封装类型有LQFP48、LQFP64和LQFP100。 应用领域： 工业自动化、PLCs、变频器、智能家居、安防系统、数据采集、智能卡读卡器、马达控制等应用领域 关键特性： • 内核 - 含有浮点运算单元和 DSP 的 ARM® Cortex®-M4 內核 - 最高可运行至72 MHz - 工作电压: 2.5V ~ 5.5V - 工作温度: - 40 ℃ ~ 105 ℃ • 内存 - 40/72/128/256K字节FLASH ROM - 16/32K字节 SRAM - 可配置Data Flash • 12位 ADC ( 最多16通道 ) • 12位DAC • 16位精度 PWM ( 最多12通道 ) • 定时器 - 4通道 32 位 定时器 - 实时时钟 • 通用外设 - 最多5通道支持 UART 串口 - 最多2通道支持LIN - 最多3通道 SPI 接口 - 最多2通道 I²C ( 最高支持1 MHz ) - 智能卡接口 - 最多2通道I²S • 安全性 - CRC校验 • 时钟 - 外接高速：4 MHz ~24 MHz - 内置高速： 22.1184 MHz - 内置低速：10 KHz M451M Series
M451MLC3AE
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新唐NuMicro® M451M系列是基于 ARM®Cortex®-M4 内核的新一代 32 位 的微控制器，宽工作电压 ( 2.5V ~ 5.5V ) ，工业级温度 ( - 40 ℃ ~ 105 ℃ ) ，内置 22.1184 MHz 晶振 ( 在25 ℃ ，5V时精度1 % ) ，可配置Data Flash，强抗干扰性 ( ESD 8 kV 、EFT 4 kV ) ，封装类型有LQFP48 和 LQFP64。 应用领域： 工业自动化、PLCs、变频器、智能家居、安防系统、数据采集、智能卡读卡器、马达控制等应用领域 关键特性： • 内核 - 含有浮点运算单元和DSP的 ARM®Cortex®-M4 內核 - 最高可运行至72 MHz - 工作电压: 2.5V ~ 5.5V - 工作温度: - 40 ℃ ~ 105 ℃ • 内存 - 40 K字节FLASH ROM - 16 K字节 SRAM - 可配置Data Flash • 12 位 ADC ( 最多13通道 ) • 12 位DAC • 16 位精度 PWM ( 最多 12 通道 ) • 定时器 - 4通道 32 位 定时器 • 通用外设 - 最多5通道支持 UART 串口, 最多2通道支持LIN - 最多2通道 SPI 接口 - 最多2通道 I²C ( 最高支持1 MHz ) - 智能卡接口 ( 可选 ) - I²S • 安全性 - CRC校验 • 时钟 - 外接高速：4 MHz ~24 MHz - 外接低速：32.768KHz - 内置高速： 22.1184 MHz - 内置低速：10 KHz M451MLC3AE
0.5um 5V Mixed-Mode Process
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0.5um 5V Mixed-Mode Process 此工艺为一标准0.5um 5V process，至今已有几百万片的生产经验，可以说是新唐最成熟的代工工艺平台。为实现类比电路设计，我们增加了高阻值Poly2，PIP电容及Bipolar等器件，并配合提供特殊器件以因应您的特殊需求如： Depletion Device，Native Device，Schottky Diode与Zener Diode等。同时提供fuse 相关design rule满足您在trimming的上的需求。此工艺支援3um thickness的Top Metal，以因应铜打线需求。为了方便您在数字电路上的设计，我们也提供了5V Standard Cell Library。 Device Type Device List Max.｜Vgs｜ Max.｜Vds｜ ｜Vs_bulk｜ ｜Vbulk_sub｜ LV 5V LVN 5 5 5 0 5V LVP 5 5 5 5 Iso LV Iso 5V LVN 5 5 5 5 Iso 5V LVP 5 5 5 5 Native Native 5V LVN (Vt=0.52V) 5 5 5 0 Native 5V LVP (Vt=-1.22V) 5 5 5 5 Iso Native Iso Native 5V LVN 5 5 5 5 Iso Native 5V LVP 5 5 5 5 Low Vt 5V LVN (Vt=0.62V) 5 5 5 0 5V LVP (Vt=0.69V) 5 5 5 5 Depletion 5V Depletion NMOSVt=-0.39V 5 5 5 0 Iso Depletion Iso Depletion NMOS 5 5 5 5 联络我们
0.35um 3.3v 5v process
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0.35um 3.3V/5V embedded Logic NVM Process 此工艺为Dual GOX process，提供3.3V与5V器件因应逻辑产品。配合高阻值Poly2，PIP电容及Bipolar，实现类比信号的设计。此工艺结合亿而得微电子所提供之3.3V MTP NVM IP，使客户在无需增加Mask及成本的情况下嵌入NVM中。亿而得微电子所提供的NVM IP种类为(1) EEPROM (2) Flash (3) MTP，并完整提供IP Memory Density 从256×8 bits 至16K X16 bits。此工艺已大量使用于Microcontroller Unit（MCU）产品上。为了方便您在数字电路上的设计，我们同时也提供了3.3V与5V Standard Cell Library，同时也提供3.3V SRAM compiler 的服务。 Design Kits Design Kits Vender Tools / Version SPICE - HSIPCE BSIM3V3 (L49) Spectre SPICE DRC Mentor Graphics Calibre LVS Mentor Graphics Calibre LPE Mentor Graphics Calibre Cell Library - 0.35um 3.3V Standard Cell / IO Cell Library NVM IP YMC (MTP, Flash, EEPROM) Density 256 X 8 bits ~ 16K X 16 bits Byte Write / Byte Read Extra Low Read Voltage ~1.2V Endurance >100K SRAM - 0.35um 3.3V SRAM compiler (64 x 2bits ~ 4K x 8 bits) Mismatch Report - 0.35um 3.3V mismatch report 联络我们 0.35um 3.3V/5V embedded Logic NVM Process
0.5um 5V mixed mode Process
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此工艺为一标准0.5um 5V process，至今已有几百万片的生产经验，可以说是新唐最成熟的代工工艺平台。为实现类比电路设计，我们增加了高阻值Poly2，PIP电容及Bipolar等器件，并配合提供特殊器件以因应您的特殊需求如： Depletion Device，Native Device，Schottky Diode与Zener Diode等。同时提供fuse 相关design rule满足您在trimming的上的需求。此工艺支援3um thickness的Top Metal，以因应铜打线需求。为了方便您在数字电路上的设计，我们也提供了5V Standard Cell Library。 Device Type Device List Max.｜Vgs｜ Max.｜Vds｜ ｜Vs_bulk｜ ｜Vbulk_sub｜ LV 5V LVN 5 5 5 0 5V LVP 5 5 5 5 Iso LV Iso 5V LVN 5 5 5 5 Iso 5V LVP 5 5 5 5 Native Native 5V LVN (Vt=0.52V) 5 5 5 0 Native 5V LVP (Vt=-1.22V) 5 5 5 5 Iso Native Iso Native 5V LVN 5 5 5 5 Iso Native 5V LVP 5 5 5 5 Low Vt 5V LVN (Vt=0.62V) 5 5 5 0 5V LVP (Vt=0.69V) 5 5 5 5 Depletion 5V Depletion NMOSVt=-0.39V 5 5 5 0 Iso Depletion Iso Depletion NMOS 5 5 5 5 联络我们 0.5um 5V Mixed-Mode Process
0.5um 5V Mixed-Mode Process
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0.5um 5V Mixed-Mode Process 此工艺为一标准0.5um 5V process，至今已有几百万片的生产经验，可以说是新唐最成熟的代工工艺平台。为实现类比电路设计，我们增加了高阻值Poly2，PIP电容及Bipolar等器件，并配合提供特殊器件以因应您的特殊需求如： Depletion Device，Native Device，Schottky Diode与Zener Diode等。同时提供fuse 相关design rule满足您在trimming的上的需求。此工艺支援3um thickness的Top Metal，以因应铜打线需求。为了方便您在数字电路上的设计，我们也提供了5V Standard Cell Library。 Device Type Device List Max.｜Vgs｜ Max.｜Vds｜ ｜Vs_bulk｜ ｜Vbulk_sub｜ LV 5V LVN 5 5 5 0 5V LVP 5 5 5 5 Iso LV Iso 5V LVN 5 5 5 5 Iso 5V LVP 5 5 5 5 Native Native 5V LVN (Vt=0.52V) 5 5 5 0 Native 5V LVP (Vt=-1.22V) 5 5 5 5 Iso Native Iso Native 5V LVN 5 5 5 5 Iso Native 5V LVP 5 5 5 5 Low Vt 5V LVN (Vt=0.62V) 5 5 5 0 5V LVP (Vt=0.69V) 5 5 5 5 Depletion 5V Depletion NMOSVt=-0.39V 5 5 5 0 Iso Depletion Iso Depletion NMOS 5 5 5 5 联络我们
0.35um 3.3V/5V Process
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0.35um 3.3V/5V embedded Logic NVM Process 此工艺为Dual GOX process，提供3.3V与5V器件因应逻辑产品。配合高阻值Poly2，PIP电容及Bipolar，实现类比信号的设计。此工艺结合亿而得微电子所提供之3.3V MTP NVM IP，使客户在无需增加Mask及成本的情况下嵌入NVM中。亿而得微电子所提供的NVM IP种类为(1) EEPROM (2) Flash (3) MTP，并完整提供IP Memory Density 从256×8 bits 至16K X16 bits。此工艺已大量使用于Microcontroller Unit（MCU）产品上。为了方便您在数字电路上的设计，我们同时也提供了3.3V与5V Standard Cell Library，同时也提供3.3V SRAM compiler 的服务。 Design Kits Design Kits Vender Tools / Version SPICE - HSIPCE BSIM3V3 (L49) Spectre SPICE DRC Mentor Graphics Calibre LVS Mentor Graphics Calibre LPE Mentor Graphics Calibre Cell Library - 0.35um 3.3V Standard Cell / IO Cell Library NVM IP YMC (MTP, Flash, EEPROM) Density 256 X 8 bits ~ 16K X 16 bits Byte Write / Byte Read Extra Low Read Voltage ~1.2V Endurance >100K SRAM - 0.35um 3.3V SRAM compiler (64 x 2bits ~ 4K x 8 bits) Mismatch Report - 0.35um 3.3V mismatch report 联络我们
0.35um 3.3V/5V Process
https://www.nuvoton.com/foundry-service/technologies/logic-mixed-signal-process/0.35um-3.3v-5v-process/
0.35um 3.3V/5V embedded Logic NVM Process 此工艺为Dual GOX process，提供3.3V与5V器件因应逻辑产品。配合高阻值Poly2，PIP电容及Bipolar，实现类比信号的设计。此工艺结合亿而得微电子所提供之3.3V MTP NVM IP，使客户在无需增加Mask及成本的情况下嵌入NVM中。亿而得微电子所提供的NVM IP种类为(1) EEPROM (2) Flash (3) MTP，并完整提供IP Memory Density 从256×8 bits 至16K X16 bits。此工艺已大量使用于Microcontroller Unit（MCU）产品上。为了方便您在数字电路上的设计，我们同时也提供了3.3V与5V Standard Cell Library，同时也提供3.3V SRAM compiler 的服务。 Design Kits Design Kits Vender Tools / Version SPICE - HSIPCE BSIM3V3 (L49) Spectre SPICE DRC Mentor Graphics Calibre LVS Mentor Graphics Calibre LPE Mentor Graphics Calibre Cell Library - 0.35um 3.3V Standard Cell / IO Cell Library NVM IP YMC (MTP, Flash, EEPROM) Density 256 X 8 bits ~ 16K X 16 bits Byte Write / Byte Read Extra Low Read Voltage ~1.2V Endurance >100K SRAM - 0.35um 3.3V SRAM compiler (64 x 2bits ~ 4K x 8 bits) Mismatch Report - 0.35um 3.3V mismatch report 联络我们 0.35um 3.3V/5V embedded Logic NVM Process