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您的职涯与新唐

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新唐科技积极塑造乐活创新之工作环境及提供多样化之职务选择，欢迎您一起加入新唐、实践梦想。您的职涯与新唐

Mask ROM Process

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Mask ROM 工艺架构在0.5um与0.35um的逻辑工艺下，我们分别开发出0.5um Logic embedded 0.37um Falt Cell 与0.35um Logic embedded 0.32um Falt Cell process，提供有ROM需求的您。我们以最具竞争力的Flat Cell Process，配合Code Mask工艺及最具弹性的生产管理，为您的ROM产品提供最佳的解决方案。联络我们 Mask ROM 工艺

全球销售机构 / 芯唐电子科技（深圳）有限公司

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Mainland China 深圳市南山区高新技术产业园高新南六道迈科龙大厦8楼 86-755-83515350 芯唐电子科技（深圳）有限公司 518057 113.954895 22.535291

全球销售机构 / 芯唐电子科技（上海）有限公司

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Mainland China 上海市延安西路2299号27楼2701室 86-21-62365999 芯唐电子科技（上海）有限公司 200336 121.398089 31.200177

全球销售机构 / 芯唐电子科技（上海）有限公司南京办公室

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Mainland China 南京市珠江路67号3417室 86-25-83291517，86-25-83291527 芯唐电子科技（上海）有限公司南京办公室 210008 118.78655 32.05033

全球销售机构 / Nuvoton Technology Corp. America

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America 2727 North First Street, San Jose, CA 95134, U.S.A. 07 1-408-544-1718 Nuvoton Technology Corp. America -121.93169 37.38970

Special Application

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特殊应用为满足您在特殊应用领域的特殊工艺需求，我们专注在客制化工艺。感测器类比信号普遍存在于真实世界中，我们利用众多的感测器截取所需要的讯息，利用类比IC将讯号由类比转数字，经由数字处理成为有用讯息，应用在手持系统，大型控制系统，生物医学等方面，以方便我们的生活，新唐科技晶圆代工提供感测器工艺平台，目前已协助客户成功实现光，压力，温度，酸碱，与磁效应等感测器产品。特殊材料之功率器件随着环保意识的抬头，对于高功率系统的使用效率与使用环境要求日趋严格，对于此一趋势，硅材料的功率器件，将无法在某些要求严苛的领域使用，因此宽能带材料将取而代之，我们以特殊的工艺流程实现氮化镓功率器件生产，满足您对于未来的需求。静电保护绝大多数的电子产品皆会有传输端口，而这些传输端口或多或少都会有静电接触的可能，为了保护电子产品不被静电损害，静电保护IC成为相当重要的器件，我们提供的TVS工艺平台，满足客户在静电保护IC中低电压，低漏电与低电容的三低要求。联络我们

Customized Technology

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客制化工艺随着需求的演变，标准的CMOS工艺已经无法满足现有市场的需求，各式各样的产品，必须透过设计公司与晶圆代工厂紧密合作，才能完成产品的开发，新唐科技晶圆代工拥有丰富的工艺开发经验，满足您于IC工艺上的特殊需求。为了创造更高的价值，我们欢迎许多具有前瞻想法的产品，一同共创未来。 III-V族工艺平台利用丰富的IC工艺与对于材料特性的经验，我们成功的以隔绝技术让III-V族材料进入Si base的FAB进行生产，并解决污染问题。因此我们可以进行的III-V族材料的晶圆代工。感测器工艺平台利用Deep trench，Backend Etch与SOI等技术，我们成功的实现客户的各种感测器需求（如：压力，光与酸硷特性），并应用在手持系统与医疗系统上。静电保护IC工艺平台我们以一个完整的静电保护IC工艺平台，提供静电保护所需要的所有Junction，并依客户的产品特性与需求进行客制化的调整，以满足不同客户不同产品的需求。联络我们

工艺技术

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专注于自有技术的开发新唐科技晶圆代工一直致力于自有工艺技术开发，目前提供0.35微米以上工艺，包括一般逻辑（Generic Logic），混合信号（Mixed Signal），高压（High Voltage），超高压（Ultra High Voltage），电源管理（Power Management），Mask ROM（Flat Cell），嵌入式记忆体（embedded Logic Non-Volatile Memory）工艺等。现有工艺技术 Process Technology Process Logic / Mixed Mode 0.35um 3.3V / 5V Mixed Mode 0.45um 3.3V , 5V Mixed Mode 0.5um 3.3V , 5V Mixed Mode Embedded Logic NVM 0.35um 3.3V , 5V Mixed Mode embedded NVM Mask ROM 0.35um 3.3V / 5V Logic embedded 0.32um Flat Cell 0.5um 5V Logic embedded 0.37um Flat Cell High Voltage / Power 0.35um 5V ~ 700V BCD Process 0.6um 5V / 12V / 16V / 20V CDMOS 5V / 18V / 30V / 40V Low-Vgs CDMOS 5V / 25V / 40V Dual-Vgs CDMOS 5V / 40V / UHV Modular Process 工艺技术开发蓝图为了持续提升客户竞争力，我们持续进化电源管理及高压工艺，并由0.6um微缩至0.35微米，更将高压及功率器件进行最佳化精进。为满足不同客户于各领域的需求，我们同时专注在客制化工艺，正积极开发IGBT，Sensor，GaN SBD等工艺。我们倾听您的需求，满足您的期待，以提供您最佳的竞争力与服务。联络我们

Customized Process

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