0.35um BCD Process

この製造プロセスはDual GOXプロセスを用いており、Vgs=5Vを提供し最大耐電圧はVgs=40Vのデバイスです。 Vds電圧は5V/12V /18V/25V/36V/40V/60V/80V/700Vに分かれており、合わせて低導通抵抗の高効率デバイスをConverterやLEDアプリケーションに用いる需要に応えます。また、高い抵抗のPoly2、PIPコンデンサ及びBipolarを組み合わせて、アナログ信号の設計を実現しました。その他に特殊デバイスをもってお客様の特殊要求を満たします。例： Depletion UHV Device、Low Ron UHV Device、Depletion Device、Zener Diode、UHV Isolation Deviceなど。同時に Nuvoton Poly e-fuse IP とeMemory 5V NVMを提供することでお客様のOTP上の要求を満たします。この製造プロセスは3um thickness のTop Metalをサポートして、銅配線の要求に応えます。デジタル回路設計を簡単にするために、当社は5V Standard Cell Libraryも提供しています。