0.6um CDMOS / UHV Process
0.6um CDMOS / UHV Process
0.6um 5V/40V Dual-Vgs CDMOS Process
此製程為Dual GOX製程,提供Vgs=5V與最大耐壓為Vgs=40V的元件, Vds電壓分別為5V/18V/25V/40V,並提供低導通電阻的Power元件以因應Converter及LED的需求。配合高阻值Poly2,PIP電容及Bipolar,實現類比信號的設計。另外提供特殊元件以因應您的特殊需求,如: Depletion Device,Native Device與Zener Diode等。同時提供 Nuvoton Poly e-fuse IP 滿足您在OTP上的需求。此製程支援3um thickness 的Top Metal,以因應銅打線需求。為了方便您在數位電路上的設計,我們也提供了5V Standard Cell Library。
Device | Vth(V) | Idsat(uA / um) | Rds,on(mohm-mm2) | Bvdss(V) |
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5V / 18V LDNMOS | 0.85 | 330 | 18 | >25 |
5V / 25V LDNMOS | 0.77 | 380 | 25 | >30 |
5V / 40V LDNMOS | 0.77 | 340 | 55 | >48 |
0.6um 5V/40V/UHV Process
此製程利用新唐獨有的模組化製程技術,承襲所有0.6um 5V/40V Dual-Vgs CDMOS process當中所有的元件,以相同的元件特性並使用相同的SPICE Model,加入700V超高壓元件,如:Depletion UHV,Low Ron UHV及UHV JFET等,讓您在此平台的應用範圍由一般的DC/DC拓展至AC/DC之市電系統。完全模組化與客製化的製程,讓此製程的所有元件都成為一種選擇,以方便應用。選擇此製程平台上您無需熟悉另一套製程的Design Kits,即可讓您所設計的產品應用至更廣泛的領域。
0.6um 5V/20V CDMOS Process
對於低於20V以下應用的產品,我們提供另一個選擇0.6um 5V/20V CDMOS Process,此製程為Dual GOX製程,提供Vgs=5V與最大耐壓為Vgs=16V的元件,Vds電壓分別為5V/12V/16V/20V,並提供低導通電阻的Power元件以因應Converter及LED的需求。配合高阻值Poly2,PIP電容及Bipolar,實現類比信號的設計。另外提供特殊元件以因應您的特殊需求,如: Depletion Device與Zener Diode等。同時提供 Nuvoton Poly e-fuse IP 滿足您在OTP上的需求。此製程支援3um thickness 的Top Metal,以因應銅打線需求。為了方便您在數位電路上的設計,我們也提供了5V Standard Cell Library。
Device | Vth(V) | Idsat(uA / um) | Rds,on(mohm-mm2) | Bvdss(V) |
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12V / 12V LDNMOS | 1.9 | 550 | 7.8 | >18 |
16V / 16V LDNMOS | 1.9 | 760 | 12 | >20 |
5V / 20V LDNMOS | 1.1 | 365 | 25 | >24 |