Embedded Memory Process
嵌入式记忆体工艺
嵌入式记忆体工艺
新唐科技为了满足客户于各种应用领域在记忆体上的需求，特别于新唐0.35系列产品制程中提供三种与逻辑制程匹配之嵌入式非挥发性记忆体(Non-Volatile Memory, NVM) ，分别为 (1) 亿而得微电子(Yield Microelectronics Corporation, YMC)公司所提供的3.3V MTP (Multi-Time-Programing) NVM IP；(2) 力旺电子 (eMemory Technology, Inc.)所提供5V OTP (One-Time-Programing) NVM IP；(3) 新唐科技针对Trimming Function所提供的Poly e-Fuse IP。
| Application | Target Product | Function | 0.35um | MVN IP |
|---|---|---|---|---|
| Trimming | LCD Driver, LED Driver, Touch Panel, Power IC STB Control | Fuse Like | 5V/40V/UHV or BCD | eMemory 5V OTPNTC Poly e-Fuse |
| Parameter Setting | LCD, LED, Battery Pack Protection | Status Parameter | 5V/40V/HV or BCD | eMemory 5V OTP |
| Encryption | LCD, STB, Smart Card | Security Confirm Code | 5V/40V/HV or BCD | eMemory 5V OTP |
| Function Selection | SoC product Function selector | SoC Function Control | 3.3V/5V Logic | YMC 3.3V MTP |
| Identification Setting | Product ID, TagIC < 13.5MHz | ID Code | 3.3V/5V Logic | YMC 3.3V MTP |
| Code Storage | 4/8 bits MCU | Program, Data Storage | 3.3V/5V Logic | YMC 3.3V MTP |
亿而得微电子3.3V MTP NVM IP
新唐科技0.35um 3.3V/5V逻辑工艺结合亿而得微电子所提供之3.3V MTP NVM IP，使客户在无需增加掩膜及成本的情况下嵌入NVM中。亿而得微电子所提供的NVM IP种类为（1）EEPROM（2）Flash（3）MTP，并完整提供IP Memory Density 从256×8位至16K X16位。此工艺已大量使用于Microcontroller（MCU）产品上。
力旺电子 5V OTP NVM IP
新唐科技致力于开发电源管理与高压工艺，于0.35um 5V高压电源模块化工艺成功结合力旺电子所开发之高整合度5V OTP NVM IP，提供客户于电源管理相关领域之嵌入式记忆体技术的需求。让客户在无须增加掩膜及成本的情况下使用力旺电子之5V OTP NVM IP于新唐的0.35um BCD工艺。
新唐科技Poly e-Fuse IP
新唐科技于0.35um BCD及0.6um CDMOS/UHV 工艺上自行研发的以Poly为主之Eledtrical Fuse (Poly e-Fuse) IP，此IP应用于类比及电源管理IC之Trimming，面积较传统的PAD E-fuse小50％以上。使用此IP亦可将Trimming移至Final Test（FT），与Laser Fuae相比省去了CP test与Laser Trimming的成本及FT之后的良率损失，新唐Electrical Fuse IP将可大大的节省Trimming成本及提升良率。
