0.6um CDMOS / UHV Process 

0.6um 5V/40V Dual-Vgs CDMOS Process

この製造プロセスはDual GOXを用いており、Vgs=5Vを提供し最大耐電圧はVgs=40Vのデバイス用です。 Vds電圧は5V/18V/25V/40Vに分かれており、合わせて低導通抵抗のPowerデバイスをConverterやLEDアプリケーションに用いる需要に応えます。高い抵抗のPoly2、PIPコンデンサ及びBipolarを組み合わせ、アナログ信号設計を実現できます。その他に特殊デバイスをもってお客様の特殊要求を満たします。例： Depletion Device、Native Device、Zener Diodeなどです。同時に Nuvoton Poly e-fuse IP がお客様のOTP上の要求を満足させます。この製造プロセスは3um thickness のTop Metalを持ち、銅配線の要求に応えます。デジタル回路設計を簡単にするために、当社は5V Standard Cell Libraryも提供しています。 

0.6um 5V/40V/UHV Process

この製造プロセスは新生代のヌヴォトン独自モジュール製造プロセス技術を利用しており、0.6um 5V/40V Dual-Vgs CDMOS プロセス内の全てのデバイスに適用でき、同様なデバイス特性と同様なSPICE Modelを用い、700Vの超高圧デバイスを加えています。例：Depletion UHV、Low Ron UHV、UHV JFET等です。お客様がこのプラットフォームを利用すれば、アプリケーション範囲を一般のDC/DCからAC/DCの公共電源システムへ拡大できます。完全モジュール化およびカスタマイズ化に対応した製造プロセスは、一度選択するだけで製造プロセス上の全てのデバイスを網羅でき、非常に便利です。この製造プロセスプラットフォームには別途使い慣れた製造プロセス用Design Kitsを用意する必要がなく、お客様の設計を生かした製品を直ちに幅広い領域で活用していただけます。

0.6um 5V/20V CDMOS Process

20V以下の低電圧アプリケーションに用いられる製品に対し、当社は別途0.6um 5V/20V CDMOS Processを用意しています。この製造プロセスはDual GOXを用い、Vgs=5Vを提供し、最大耐電圧はVgs=16Vのデバイスに対応しています。Vds電圧は5V/12V/16V/20Vに分かれており、合わせて低導通抵抗のPowerデバイスをConverterやLEDアプリケーションに用いる需要に応えます。高い抵抗のPoly2、PIPコンデンサ及びBipolarを組み合わせて、アナログ信号設計を実現できます。その他に特殊デバイスをもってお客様の特殊要求を満たします。例： Depletion Device、Zener Diodeなどです。同時に Nuvoton Poly e-fuse IP がお客様のOTP上の要求を満足させます。この製造プロセスは3um thickness のTop Metalを持ち、銅配線の要求に応えます。デジタル回路設計を簡単にするために、当社は5V Standard Cell Libraryも提供しています。

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