0.6um CDMOS / UHV Process
0.6um CDMOS / UHV Process
0.6um 5V/40V Dual-Vgs CDMOS Process
此製程為Dual GOX製程，提供Vgs=5V與最大耐壓為Vgs=40V的元件， Vds電壓分別為5V/18V/25V/40V，並提供低導通電阻的Power元件以因應Converter及LED的需求。配合高阻值Poly2，PIP電容及Bipolar，實現類比信號的設計。另外提供特殊元件以因應您的特殊需求，如： Depletion Device，Native Device與Zener Diode等。同時提供 Nuvoton Poly e-fuse IP 滿足您在OTP上的需求。此製程支援3um thickness 的Top Metal，以因應銅打線需求。為了方便您在數位電路上的設計，我們也提供了5V Standard Cell Library。
| Device | Vth(V) | Idsat(uA / um) | Rds,on(mohm-mm2) | Bvdss(V) |
|---|---|---|---|---|
| 5V / 18V LDNMOS | 0.85 | 330 | 18 | >25 |
| 5V / 25V LDNMOS | 0.77 | 380 | 25 | >30 |
| 5V / 40V LDNMOS | 0.77 | 340 | 55 | >48 |
0.6um 5V/40V/UHV Process
此製程利用新唐獨有的模組化製程技術，承襲所有0.6um 5V/40V Dual-Vgs CDMOS process當中所有的元件，以相同的元件特性並使用相同的SPICE Model，加入700V超高壓元件，如：Depletion UHV，Low Ron UHV及UHV JFET等，讓您在此平台的應用範圍由一般的DC/DC拓展至AC/DC之市電系統。完全模組化與客製化的製程，讓此製程的所有元件都成為一種選擇，以方便應用。選擇此製程平台上您無需熟悉另一套製程的Design Kits，即可讓您所設計的產品應用至更廣泛的領域。
0.6um 5V/20V CDMOS Process
對於低於20V以下應用的產品，我們提供另一個選擇0.6um 5V/20V CDMOS Process，此製程為Dual GOX製程，提供Vgs=5V與最大耐壓為Vgs=16V的元件，Vds電壓分別為5V/12V/16V/20V，並提供低導通電阻的Power元件以因應Converter及LED的需求。配合高阻值Poly2，PIP電容及Bipolar，實現類比信號的設計。另外提供特殊元件以因應您的特殊需求，如： Depletion Device與Zener Diode等。同時提供 Nuvoton Poly e-fuse IP 滿足您在OTP上的需求。此製程支援3um thickness 的Top Metal，以因應銅打線需求。為了方便您在數位電路上的設計，我們也提供了5V Standard Cell Library。
| Device | Vth(V) | Idsat(uA / um) | Rds,on(mohm-mm2) | Bvdss(V) |
|---|---|---|---|---|
| 12V / 12V LDNMOS | 1.9 | 550 | 7.8 | >18 |
| 16V / 16V LDNMOS | 1.9 | 760 | 12 | >20 |
| 5V / 20V LDNMOS | 1.1 | 365 | 25 | >24 |
