0.6um CDMOS / UHV Process
0.6um CDMOS / UHV Process
0.6um 5V/40V Dual-Vgs CDMOS Process
此工艺为Dual GOX process，提供VGS= 5V与最大耐压为VGS= 40V的器件，VDS电压分别为5V/18V/25V/40V，并提供低通态电阻的功率器件以因应电压转换及LED的需求。配合高阻值Poly2，PIP电容及Bipolar，实现类比信号的设计。另外提供特殊元件以因应您的特殊需求，如：Depletion Device，Native Device与Zener Diode等。同时提供Nuvoton Poly e-fuse IP满足您在OTP的上的需求。此工艺支援3um thickness的Top Metal，以因应铜打线需求。为了方便您在数字电路上的设计，我们也提供了5V Standard Cell Library。
| Device | Vth(V) | Idsat(uA / um) | Rds,on(mohm-mm2) | Bvdss(V) |
|---|---|---|---|---|
| 5V / 18V LDNMOS | 0.85 | 330 | 18 | >25 |
| 5V / 25V LDNMOS | 0.77 | 380 | 25 | >30 |
| 5V / 40V LDNMOS | 0.77 | 340 | 55 | >48 |
0.6um 5V/40V/UHV Process
此工艺利用新唐独有的模块化工艺技术，承袭所有0.6um5V/40V Dual-Vgs CDMOS process当中所有的器件，以相同的器件特性并使用相同的SPICE Model，加入700V超高压器件，如：Depletion UHV，Low Ron UHV及UHV JFET等，让您在此平台的应用范围由一般的DC/ DC拓展至AC/ DC之电力系统。完全模块化与客制化的工艺，让此工艺的所有器件都成为一种选择，以方便应用。选择此工艺平台上您无需熟悉另一套工艺的Design Kits，即可让您所设计的产品应用至更广泛的领域。
0.6um 5V/20V CDMOS Process
对于低于20V以下应用的产品，我们提供另一个选择0.6um5V/20V CDMOS process，此工艺为Dual-GOX Process，提供VGS= 5V与最大耐压为VGS= 16V的器件，Vds电压分别为5V/12V/16V/20V，并提供低通态电阻的功率器件以因应Converter及LED的需求。配合高阻值Poly2，PIP电容及Bipolar，实现类比信号的设计。另外提供特殊器件以因应您的特殊需求，如： Depletion Device與Zener Diode等。同时提供Nuvoton Poly e-fuse IP满足您在OTP的上的需求。此工艺支援3um thickness的Top Metal，以因应铜打线需求。为了方便您在数字电路上的设计，我们也提供了5V Standard Cell Library。
| Device | Vth(V) | Idsat(uA / um) | Rds,on(mohm-mm2) | Bvdss(V) |
|---|---|---|---|---|
| 12V / 12V LDNMOS | 1.9 | 550 | 7.8 | >18 |
| 16V / 16V LDNMOS | 1.9 | 760 | 12 | >20 |
| 5V / 20V LDNMOS | 1.1 | 365 | 25 | >24 |
