IGBT- / MOSFET-Technologie 

Da heutzutage der Schwerpunbkt auf Umweltschutz und grüner Energie liegt, ist Nuvoton zutiefst davon überzeugt, dass eine Verbesserung der Systemleistung und die Erzeugung von starken Leistungskomponenten wichtiger denn je ist. Aus diesem Grund bieten wir eine Plattform für Hochspannungs-MOSFET- und IGBT-Verfahren. Diese Plattform zeichnet sich durch Deep Trench Gate, Handhabung dünner Wafer, 3mil Backside Grinding, Backside Imp und Backside Metal sowie weitere Technologien aus.

 

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