嵌入式非揮發性記憶體

新唐科技為了滿足客戶於各種應用領域在記憶體上的需求,特別於新唐0.35um系列製程中提供三種與邏輯製程匹配之嵌入式非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory, NVM) ,分別為(1) 億而得微電子(Yield Microelectronics Corporation, YMC)公司所提供的3.3V MTP (Multi-Time-Programing) NVM IP;(2) 力旺電子(eMemory Technology, Inc.)所提供5V OTP (One-Time-Programing) NVM IP;(3) 新唐科技針對Trimming Function所提供的Poly e-Fuse IP。

ApplicationTarget ProductFunction0.35umMVN IP
Trimming LCD Driver, LED Driver, Touch Panel, Power IC STB Control Fuse Like 5V/40V/UHV or BCD eMemory 5V OTPNTC Poly e-Fuse
Parameter Setting LCD, LED, Battery Pack Protection Status Parameter 5V/40V/HV or BCD eMemory 5V OTP
Encryption LCD, STB, Smart Card Security Confirm Code 5V/40V/HV or BCD eMemory 5V OTP
Function Selection SoC product Function selector SoC Function Control 3.3V/5V Logic YMC 3.3V MTP
Identification Setting Product ID, TagIC < 13.5MHz ID Code 3.3V/5V Logic YMC 3.3V MTP
Code Storage 4/8 bits MCU Program, Data Storage 3.3V/5V Logic YMC 3.3V MTP

億而得微電子3.3V MTP NVM IP

新唐科技0.35um 3.3V/5V邏輯製程結合億而得微電子所提供之3.3V MTP NVM IP,使客戶在無需增加光罩及製程成本的情況下嵌入NVM。億而得微電子所提供的NVM IP種類為(1) EEPROM (2) Flash (3) MTP,並完整提供IP Memory Density從256 X 8 bits 至16K X16 bits。此製程已大量使用於Microcontroller Unit (MCU)產品上。

力旺電子 5V OTP NVM IP

新唐科技致力於開發電源管理與高壓製程,於0.35um 5V高壓電源模組化製程成功結合力旺電子所開發之高整合度5V OTP NVM IP,提供客戶於電源管理相關領域之嵌入式記憶體技術的需求。讓客戶可無須增加光罩及製程成本的情況下使用力旺電子之5V OTP NVM IP於新唐0.35um BCD process。

新唐科技Poly e-Fuse IP

新唐科技於0.35um BCD 及0.6um CDMOS/UHV製程上自行研發以Poly為主之Electrical Fuse (Poly e-Fuse) IP,此IP應用於類比及電源管理IC之Trimming,面積較傳統的PAD E-fuse小50 %以上。使用此IP亦可將Trimming移至Final Test (FT),與Laser fuse相比省去了CP Test與Laser Trimming的成本及FT之後的良率損失,新唐Electrical Fuse IP將可大大的節省Trimming成本及提升良率。

 

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