嵌入式记忆体工艺 

新唐科技为了满足客户于各种应用领域在记忆体上的需求,特别于新唐0.35系列产品制程中提供三种与逻辑制程匹配之嵌入式非挥发性记忆体(Non-Volatile Memory, NVM) ,分别为 (1) 亿而得微电子(Yield Microelectronics Corporation, YMC)公司所提供的3.3V MTP (Multi-Time-Programing) NVM IP;(2) 力旺电子 (eMemory Technology, Inc.)所提供5V OTP (One-Time-Programing) NVM IP;(3) 新唐科技针对Trimming Function所提供的Poly e-Fuse IP。

ApplicationTarget ProductFunction0.35umMVN IP
Trimming LCD Driver, LED Driver, Touch Panel, Power IC STB Control Fuse Like 5V/40V/UHV or BCD eMemory 5V OTPNTC Poly e-Fuse
Parameter Setting LCD, LED, Battery Pack Protection Status Parameter 5V/40V/HV or BCD eMemory 5V OTP
Encryption LCD, STB, Smart Card Security Confirm Code 5V/40V/HV or BCD eMemory 5V OTP
Function Selection SoC product Function selector SoC Function Control 3.3V/5V Logic YMC 3.3V MTP
Identification Setting Product ID, TagIC < 13.5MHz ID Code 3.3V/5V Logic YMC 3.3V MTP
Code Storage 4/8 bits MCU Program, Data Storage 3.3V/5V Logic YMC 3.3V MTP

亿而得微电子3.3V MTP NVM IP

新唐科技0.35um 3.3V/5V逻辑工艺结合亿而得微电子所提供之3.3V MTP NVM IP,使客户在无需增加掩膜及成本的情况下嵌入NVM中。亿而得微电子所提供的NVM IP种类为(1)EEPROM(2)Flash(3)MTP,并完整提供IP Memory Density 从256×8位至16K X16位。此工艺已大量使用于Microcontroller(MCU)产品上。

 

力旺电子 5V OTP NVM IP

新唐科技致力于开发电源管理与高压工艺,于0.35um 5V高压电源模块化工艺成功结合力旺电子所开发之高整合度5V OTP NVM IP,提供客户于电源管理相关领域之嵌入式记忆体技术的需求。让客户在无须增加掩膜及成本的情况下使用力旺电子之5V OTP NVM IP于新唐的0.35um BCD工艺。

新唐科技Poly e-Fuse  IP

新唐科技于0.35um BCD及0.6um CDMOS/UHV 工艺上自行研发的以Poly为主之Eledtrical Fuse (Poly e-Fuse) IP,此IP应用于类比及电源管理IC之Trimming,面积较传统的PAD E-fuse小50%以上。使用此IP亦可将Trimming移至Final Test(FT),与Laser Fuae相比省去了CP test与Laser Trimming的成本及FT之后的良率损失,新唐Electrical Fuse IP将可大大的节省Trimming成本及提升良率。

 

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